參數(shù)資料
型號： BC847BF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC847BF
1999 May 18
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN general purpose transistors
BC846F; BC847F; BC848F series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
15
5
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC846AF; BC847AF; BC848AF
BC846BF; BC847BF; BC848BF
BC847CF; BC848CF
collector-emitter saturation voltage
110
200
420
580
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
10
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
V
BE
base-emitter voltage
C
c
f
T
F
collector capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC847CF High Speed CMOS Logic 8-Bit Serial-In/Parallel-Out Shift Register 14-SOIC -55 to 125
BC847F High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125
BC848CF NPN general purpose transistors
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846F NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847BF,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847BFA-7B 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DFN0806-3 T&R 10K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANS NPN 45V 100MA X2-DFN0806-3
BC847BFAQ-7B 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DF 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:435mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:X2-DFN0806-3 標準包裝:10,000
BC847BFN3 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC847BFN3 T/R 7" 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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