參數(shù)資料
型號(hào)： BC847B
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Small Signal Transistor 310mW
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： BC847B
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-SR
Mountedon a ceramic substrate area = 10 x8 x 0.6mm
Thermal Resistance Junction-Ambient
Thermal Resistance Junction-Substrate
Max
Max
420
330
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
I
C
= 10
μ
A
T
amb
= 150
o
C
15
5
nA
μ
A
V
(BR)CES
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(V
BE
= 0)
V
(BR)CBO
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I
E
= 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
50
V
I
C
= 10
μ
A
50
V
I
C
= 2 mA
45
V
I
C
= 10
μ
A
6
V
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
B
= 0.5 mA
I
B
= 5 mA
0.09
0.2
0.25
0.6
V
V
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
B
= 0.5 mA
I
B
= 5 mA
0.75
0.9
V
V
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 10
μ
A
I
C
= 2 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
0.58
0.63
0.7
0.7
0.77
V
V
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
200
150
290
450
f
T
Transition Frequency
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V f = 100MHz
300
MHz
C
CB
Collector Base
Capacitance
Collector Emitter
Capacitance
Noise Figure
I
E
= 0
V
CB
= 10 V
f = 1 MHz
4.5
pF
C
EB
I
C
= 0
V
EB
= 0.5 V
f = 1 MHz
9
pF
NF
V
CE
= 5 V
f = 200 Hz
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 0.2 mA
R
G
= 2 K
I
C
= 2 mA
I
C
= 2 mA
f = 1KHz
2
10
dB
h
ie
h
re
h
fe
Input Impedance
f = 1KHz
3.2
4.5
8.5
K
10
-4
Reverse Voltage Ratio
f = 1KHz
2
Small Signal Current
Gain
Output Admittance
V
CE
= 5 V
I
C
= 2 mA
f = 1KHz
330
h
oe
V
CE
= 5 V
I
C
= 2 mA
f = 1KHz
30
60
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
BC847
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC847B High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Counter with Asynchronous Reset 16-SOIC -55 to 125
BC847B High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Counter with Asynchronous Reset 16-PDIP -55 to 125
BC857 Small Signal PNP Transistors(小信號(hào)PNP晶體管)
BC858 Small Signal PNP Transistors(小信號(hào)PNP晶體管)
BC858B High Speed CMOS Logic 14-Stage Binary Counter 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC847B RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC847B RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC847B T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
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