參數(shù)資料
型號： BC847AT-7
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 523
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 60K
代理商： BC847AT-7
DS30274 Rev. A-2
1 of 3
BC847AT, BT, CT
BC847AT, BT, CT
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
45
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6.0
V
Collector Current
I
C
100
mA
Power Dissipation (Note 1)
P
d
150
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
JA
833
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
°C
Epitaxial Die Construction
Complementary PNP Type Available
(BC857AT,BT,CT)
Ultra-Small Surface Mount Package
Type
Marking
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1M
Case: SOT-523, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.002 grams (approx.)
Mechanical Data
A
B
C
C
B
TOP VIEW
G
M
L
J
D
H
N
K
E
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.
N
相關PDF資料
PDF描述
BC847A.B.C Transistors
BC847BT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC847BT-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523
BC847BTT1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
BC847BV BJT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BC847ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847ATDG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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