參數(shù)資料
型號： BC847AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Speed CMOS Logic 4-to-16 Line Decoder/Demultiplexer 24-PDIP -55 to 125
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 51K
代理商： BC847AF
1999 May 18
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN general purpose transistors
BC846F; BC847F; BC848F series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
15
5
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC846AF; BC847AF; BC848AF
BC846BF; BC847BF; BC848BF
BC847CF; BC848CF
collector-emitter saturation voltage
110
200
420
580
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
10
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
V
BE
base-emitter voltage
C
c
f
T
F
collector capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848AF High Speed CMOS Logic Hex D-Type Flip-Flop with Reset 16-PDIP -55 to 125
BC848BF High Speed CMOS Logic Quad D-Type Flip-Flop with Reset 16-SOIC -55 to 125
BC846BF NPN general purpose transistors
BC846F NPN general purpose transistors
BC847BF NPN general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847AF,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847A-G 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 6V, 10uA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BC847A-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching/AF Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847AL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC847ALT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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