參數(shù)資料
型號： BC846BF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 51K
代理商： BC846BF
1999 May 18
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN general purpose transistors
BC846F; BC847F; BC848F series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC846AF; BC846BF
BC847AF; BC847BF; BC847CF
BC848AF; BC848BF; BC848CF
collector-emitter voltage
BC846AF; BC846BF
BC847AF; BC847BF; BC847CF
BC848AF; BC848BF; BC848CF
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
80
50
30
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
65
45
30
5
100
200
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846F NPN general purpose transistors
BC847BF NPN general purpose transistors
BC847CF High Speed CMOS Logic 8-Bit Serial-In/Parallel-Out Shift Register 14-SOIC -55 to 125
BC847F High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125
BC848CF NPN general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC846B-G 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 SM SIGNAL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BC846B-GS08 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC846BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC846BLP4 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:65V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC846BLP4-7B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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