參數(shù)資料
型號： BC818W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： BC818W
1999 Apr 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
BC817W
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN transistor in a SOT323 plastic package.
PNP complement: BC807W.
MARKING
Note
1.
= - : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
6D
6A
6B
6C
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
6H
6E
6F
6G
BC817W
BC817-16W
BC817-25W
BC817-40W
BC818W
BC818-16W
BC818-25W
BC818-40W
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1
Simplified outline (SOT323) and symbol.
handbook, halfpage
2
3
1
MAM062
3
2
1
Top view
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base; I
C
= 10 mA
open collector
65
65
50
45
5
500
1
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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