參數(shù)資料
型號： BC818-16W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： BC818-16W
1999 Apr 15
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
BC817W
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
e1
HE
Lp
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
2.2
1.8
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.23
0.13
0.2
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT323
SC-70
w
M
bp
D
e1
e
A
B
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
A
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT323
97-02-28
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PDF描述
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參數(shù)描述
BC818-16W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC818-16W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC81825 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Obsolete - alternative part: BCW66H
BC818-25 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
BC818-25/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
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