參數(shù)資料
型號(hào)： BC817W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： BC817W
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
9
General Purpose Transistors
BC 817W / BC 818W
Characteristics, T
j
= 25 C
Kennwerte, T
j
= 25 C
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspg.
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
V
CEsat
–
–
0.7 V
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
V
BEsat
–
–
1.2 V
V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
V
BE
–
–
1.2 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V, T
j
= 150 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
CB0
I
CB0
–
–
100 nA
–
–
5 A
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
I
EB0
–
–
100 nA
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
100 MHz
170 MHz
–
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
C
CB0
–
6 pF
–
R
thA
620 K/W
1
)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
BC 807W / BC 808W
Marking of available current gain
groups per type
Stempelung der lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen pro Typ
BC 817-16W = 6A
BC 817-25W = 6B
BC 817-40W = 6C
BC 817W = 6D
BC 818-16W = 6E
BC 818-25W = 6F
BC 818-40W = 6G
BC 818W = 6H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846CW NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846UF NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847BS-7 DUAL NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847BS DUAL NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847PN COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC817W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817W@115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R
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