參數(shù)資料
型號： BC817-25L
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： BC817-25L
KST-2003-000
1
BC817
NPN Silicon Transistor
Descriptions
High current application
Switching application
Features
Suitable for AF-Driver stage and low power output stages
Complementary pair with BC807
Ordering Information
Type NO.
Marking
Package Code
BC817
NA
SOT-23
: hFE rank
Outline Dimensions
unit : mm
S
Se
em
miic
co
on
nd
du
uc
ctto
or
r
PIN Connections
1. Base
2. Emitter
3. Collector
2.4
±0.1
1.30
±0.1
0.45~0.60
0.
4
T
yp
.
2.
9±
0.
1
1.
1
2
M
ax.
0.
3
8
0~
0.
1
0.
1
2
4
-0.
0
3
+0.
0
5
3
1
2
1.
9
0
T
yp
.
0.2 Min.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC817-25-MR TRANSISTOR BC817-25 MINIREEL 500PCS
BC817-40L TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BC817-40-MR TRANSISTOR BC817-40 MINIREEL 500PCS
BC818-25L TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BC81840 Obsolete - alternative part: BCW66H
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC817-25LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817-25LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817-25LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
BC817-25LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BC817-25LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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