型號(hào): | BC639AMO |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 59K |
代理商: | BC639AMO |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BC639RL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
BC639ZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
BC636-10 | PNP medium power transistors |
BC636 | PNP medium power transistors |
BC640 | PNP medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BC639BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC639-E6443 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:1000 MA, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
BC639G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC639RL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC639RL1 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |