參數(shù)資料
型號： BC639
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BC639
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BC635; BC637; BC639
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V; see Fig.2
I
C
= 5 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 150 mA; V
CE
= 2 V; see Fig.2
100
10
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
63
25
250
DC current gain
BC639-10
BC635-16; BC637-16; BC639-16
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
63
100
100
160
250
500
1
1.6
V
CEsat
V
BE
f
T
h
FE2
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 500 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 150 mA;
V
CE
= 2 V
mV
V
MHz
h
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