- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369424 > BC638 (KEC Holdings) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BC638 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS) |
| 中文描述： | 外延平面PNP晶體管（高電流晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | BC638 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC637 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS) |
| BC63 | Fuse |
| BC40 | Fuse |
| BC50 | IC NAND FLASH 4GB 3.3V 48-TSOP |
| BC63M100 | Fuse |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC638 AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo |
| BC638 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC638,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。