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參數(shù)資料
| 型號： | BC637 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（高電流晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | BC637 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC63 | Fuse |
| BC40 | Fuse |
| BC50 | IC NAND FLASH 4GB 3.3V 48-TSOP |
| BC63M100 | Fuse |
| BC63M80 | Fuse |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC637 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BC637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC637_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC637_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors |
| BC637_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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