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參數(shù)資料
| 型號： | BC637 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BC637 |
1999 Apr 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BC635; BC637; BC639
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Driver stages of audio/video amplifiers.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complements: BC636, BC638 and BC640.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM259
2
1
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC635
BC637
BC639
collector-emitter voltage
BC635
BC637
BC639
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
60
80
5
1
1.5
200
0.83
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC639 | NPN medium power transistors |
| BC637 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC637-16 | NPN medium power transistors |
| BC639-10 | NPN medium power transistors |
| BC639-16 | NPN medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC637 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BC637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC637_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC637_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors |
| BC637_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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