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參數(shù)資料
| 型號： | BC636-16 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP medium power transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, SOT-54, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | BC636-16 |
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BC636; BC638; BC640
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
10
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
V
CE
=
2 V; see Fig.2
I
C
=
5 mA
I
C
=
150 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
150 mA; V
CE
=
2 V; see Fig.2
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
63
25
250
DC current gain
BC636-10
BC636-16; BC638-16; BC640-16
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
63
100
160
250
0.5
1
1.6
V
CEsat
V
BE
f
T
h
FE2
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
2 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz 100
I
C
= 150 mA;
V
CE
= 2 V
V
V
MHz
h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC636 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC637 | NPN medium power transistors |
| BC639 | NPN medium power transistors |
| BC637 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC637-16 | NPN medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC636-16ZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BC636BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC636BU_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications |
| BC636T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC636TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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