型號: | BC635RL1 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|至226AA |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 59K |
代理商: | BC635RL1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC639-16ZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AA |
BC639AMO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC639RL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
BC639ZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
BC636-10 | PNP medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC635RL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC635T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC635TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC635TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC635ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |