參數(shù)資料
型號(hào)： BC559C
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 10D3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC559C
1999 May 28
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC559
Fig.2 DC current gain; typical values.
BC559C.
handbook, full pagewidth
0
10
2
300
200
100
500
400
MBH728
10
1
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE =
5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC559 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE)
BC559 Small Signal Transistors (PNP)
BC618RL1 512Mb Mobile SDRAM
BC618 NPN Darlington transistor
BC635-10 TRANSISTOR | BJT | NPN | 1A I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC559C T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC559C,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC559C/E6 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SS SOT23 GP XSTR PNP 60V - Tape and Reel
BC559C/E7 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SS GP NPN SOT23 T/R 3K - Tape and Reel
BC559C/RR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMALL-SIGNAL TO-92
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*