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參數(shù)資料
| 型號： | BC559 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Small Signal Transistors (PNP) |
| 中文描述： | 小信號晶體管（進步黨） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BC559 |
1999 May 28
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC559
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC618RL1 | 512Mb Mobile SDRAM |
| BC618 | NPN Darlington transistor |
| BC635-10 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1A I(C) | TO-92 |
| BC635-16 | NPN medium power transistors |
| BC635 | NPN medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC559/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Low Noise Transistors |
| BC559_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| BC559_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC559_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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