參數(shù)資料
型號(hào)： BC557
英文描述： PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅自動(dòng)對(duì)焦小信號(hào)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 286K
代理商： BC557
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC556VI TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC557BAMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC558VI TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC557C PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC558 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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參數(shù)描述
BC557 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC557,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC557,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC557 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92
BC557 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
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