參數(shù)資料
型號(hào)： BC556VI
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 65V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 286K
代理商： BC556VI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC557BAMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC558VI TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC557C PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC558 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC556 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC556XBK 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC556-X-T92-B 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC556-X-T92-K 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC556サ 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS
BC557 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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