參數(shù)資料
型號： BC556B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： BC556B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC557 PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC556VI TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC557BAMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC558VI TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC557C PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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參數(shù)描述
BC556B T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
BC556B/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
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