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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC54PA |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶體管 |
| 封裝： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/22頁(yè) |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | BC54PA |
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1. Product profile
1.1 General description
NPN medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
Table 1.
Type number
[1]
[1]
Valid for all available selection groups.
1.2 Features and benefits
High current
Three current gain selections
High power dissipation capability
Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)
Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Linear voltage regulators
Low-side switches
Battery-driven devices
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
[1]
Pulse test: t
p
300
s;
= 0.02.
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
Rev. 8 — 21 October 2011
Product data sheet
Product overview
Package
NXP
SOT223
SOT89
SOT1061
PNP complement
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP54
BCX54
BC54PA
BCP51
BCX51
BC51PA
Power management
MOSFET drivers
Amplifiers
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
Conditions
open base
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
45
1
2
250
160
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
1 ms
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
[1]
63
[1]
63
[1]
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP54 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCP54-16 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCX54 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCX54-10 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCX54-16 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC54PA,115 | 功能描述:MOSFET 45 V, 1 A NPN medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BC54PASX | 功能描述:IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:420mW 頻率 - 躍遷:180MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BC550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC550 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
| BC550_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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