參數(shù)資料
型號： BC549
英文描述： NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻小信號晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC549
1999 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC549; BC550
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
V
BEsat
decreases by about 1.7 mV/K with increasing temperature.
V
BE
decreases by about 2 mV/K with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
15
5
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC549C; BC550C
I
C
= 10
μ
A; V
CE
= 5 V; see Fig.2
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA; note 1
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V; note 2
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; note 2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V;
f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 k
; f = 10 Hz to 15.7 kHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 k
; f = 1 kHz; B = 200 Hz
420
580
100
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
800
250
600
700
770
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
V
BE
base-emitter voltage
C
c
C
e
f
T
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
F
noise figure
4
dB
4
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC549C NPN general purpose transistors
BC549A TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC549 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC549B Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC549C Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC549_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
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