型號(hào): | BC548BAMO |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大小: | 315K |
代理商: | BC548BAMO |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC550C | NPN general purpose transistors |
BC547 | NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC547B | NPN general purpose transistors |
BC548CAMO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
BC548VI | A0533295, MEMORY, IC, SDRAM-DDR, 2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC548B-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo |
BC548B-BP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
BC548BBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC548BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC548BRL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |