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參數(shù)資料
| 型號： | BC446 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | BC446 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC446A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC446B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC447A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
| BC447B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
| BC445A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC446A | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC446B | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC447 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC447/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistors |
| BC447A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
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