型號: | BC372-16 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 100V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 125K |
代理商: | BC372-16 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC372-25 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC372-40 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC372P | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
BC373-16 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC373-25 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC372-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC372-40 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
BC372G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 100V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
BC372P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC372PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |