參數(shù)資料
型號: BC368
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述: 互補硅外延晶體管
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商: BC368
1999 Apr 26
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistor
BC368
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
= 1 V.
handbook, full pagewidth
hFE
0
10
1
100
250
200
150
50
MGD844
1
IC (mA)
10
10
2
10
4
10
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BC368,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
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