參數(shù)資料
型號(hào)： BC368
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN medium power transistor
中文描述： 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BC368
1999 Apr 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistor
BC368
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 25 V
I
E
= 0; V
CB
= 25 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 500 mA; V
CE
= 1 V; see Fig.2
I
C
= 1 A; V
CE
= 1 V; see Fig.2
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 5 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A; V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 500 mA;
V
CE
= 1 V
50
85
60
40
100
10
100
375
500
700
1
1.6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
V
CEsat
V
BE
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
mV
mV
V
MHz
f
T
h
h
FE2
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
-----------
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC368 COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BC368-10 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC368-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC368-25 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC859W High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-PDIP -55 to 125
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參數(shù)描述
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BC368,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
BC368_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Voltage and Current are Negative
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