參數(shù)資料
型號(hào)： BC337-16ZL1
英文描述： IC MAX 7000 CPLD 64 84-PLCC
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： BC337-16ZL1
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC337
BC337A
BC338
TO-92
Plastic Package
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25o C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
BC327
BC337
>45
>50
BC327A
BC337A
>60
>60
BC328
BC338
>25
>30
>5.0
<100
UNITS
Collector Emitter Voltage
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
CBO
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=100uA,I
E
=0
I
E
=10uA, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
T
J
=150
O
C
V
CB
=20V , I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
V
V
nA
Emitter Base Voltage
Collector-Cut off Current
<5.0
<10
μ
A
μ
A
Emitter cut off Current
I
EBO
DC Current Gain
h
FE
*
I
C
=500mA,V
CE
=1V
I
C
=100mA,V
CE
=1V
>40
100-600
100-400
100-600
Group-10
Group-16
Group-25
Group-40
63-160
100-250
160-400
250-600
63-160
100-250
160-400
250-600
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
V
CE
(sat)*
V
BE
(on)*
I
C
=500mA,I
B
=50mA
I
C
=500mA,V
CE
=1V
<0.70
<1.20
V
V
DYNAMICS CHARACTERISTICS
Transition Frequency
f
T
I
C
=10mA, V
CE
=5V
f=35MHz
NPN
PNP
Typ 200
Typ 100
MHz
MHz
Out-put Capacitance
Noise Figure
*Pulse Test : Pulse Width = 300us, Duty Cycle =2%.
C
ob
V
CB
=10V, f=1MHz
NPN
PNP
Typ 5.0
Typ 8.0
pF
pF
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC338-25ZL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
BC338AMO TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
BC337 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC337-16 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC337-25 Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC337-16ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC33725 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 800mA HFE/4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC337-25 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC337-25 A1 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC337-25 A1G 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
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