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參數資料
| 型號： | BC328 |
| 英文描述： | PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅自動對焦中功率晶體管 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | BC328 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC328 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC328-16 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC328-25 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC328-40 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC328 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC328/A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP General Purpose Transistors |
| BC328/E6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA |
| BC328/E7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA |
| BC328_00 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| BC328_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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