參數(shù)資料
型號： BC327
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (PNP)
中文描述： 小信號晶體管（進步黨）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 47K
代理商： BC327
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
V
BE
decreases by about
2 mV/K with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
0.2
K/mW
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
20 V
I
E
= 0; V
CB
=
20 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
100 mA; V
CE
=
1 V;
see Figs 2, 3 and 4
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC327
BC327-16
BC327-25
BC327-40
DC current gain
100
100
160
250
40
600
250
400
600
h
FE
I
C
=
500 mA; V
CE
=
1 V;
see Figs 2, 3 and 4
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
1 V; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
V
CEsat
V
BE
C
c
f
T
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
80
10
700
1.2
mV
V
pF
MHz
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