參數(shù)資料
型號(hào)： BC327
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BC327
1999 Apr 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
Fig.2 DC current gain; typical values.
BC327-16.
handbook, full pagewidth
0
10
1
50
100
150
200
MBH717
1
hFE
10
IC (mA)
10
2
10
3
VCE =
1 V
Fig.3 DC current gain; typical values.
BC327-25.
handbook, full pagewidth
0
10
1
100
200
300
400
MBH718
1
hFE
10
IC (mA)
10
2
10
3
VCE =
1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327-16 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327-25 Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
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BC327 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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