參數(shù)資料
型號： BC327
英文描述： PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 進步黨硅自動對焦中功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BC327
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
V
BE
decreases by about
2 mV/K with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
0.2
K/mW
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
20 V
I
E
= 0; V
CB
=
20 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
100 mA; V
CE
=
1 V;
see Figs 2, 3 and 4
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC327
BC327-16
BC327-25
BC327-40
DC current gain
100
100
160
250
40
600
250
400
600
h
FE
I
C
=
500 mA; V
CE
=
1 V;
see Figs 2, 3 and 4
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
1 V; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
V
CEsat
V
BE
C
c
f
T
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
80
10
700
1.2
mV
V
pF
MHz
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PDF描述
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BC327 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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