參數(shù)資料
型號： BC327-25RL1
英文描述： MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BC327-25RL1
1999 Apr 15
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
Fig.4 DC current gain; typical values.
BC327-40.
handbook, full pagewidth
0
10
1
100
200
300
400
MBH719
1
hFE
10
IC (mA)
10
2
10
3
VCE =
1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327-25ZL1 MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP
BC327-40 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327-16 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327-25 Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC327-25RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327-25T/R 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC32725TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -800mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327-25TA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
BC32725TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*