參數(shù)資料
型號(hào)： BC327-16ZL1
英文描述： MAX 3000A CPLD 64 MC 100-TQFP
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： BC327-16ZL1
1999 Apr 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification,
e.g. driver and output stages of audio amplifiers.
DESCRIPTION
PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
NPN complement: BC337.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM281
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
45
5
500
1
200
625
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327RL1 MAX II CPLD 570 LE 100-TQFP
BC327ZL1 MAX II CPLD 570 LE 144-TQFP
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參數(shù)描述
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BC32725 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -800mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327-25 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327-25 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327-25,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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