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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC3200 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Silicon-Bridge Rectifiers |
| 中文描述： | 硅橋式整流器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | BC3200 |
32
±0.2
10
7.5
7.5
1.2
5.6
±0.2
) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
266
1
2
01.01.99
Diotec
B…C 3200-2200
Silicon-Bridge Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3.2 A / 2.2 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
40…500 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
32 x 5.6 x 17 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Mounting clamp BO 2
Befestigungsschelle BO 2
see page 26
siehe Seite 26
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Alternating input volt. Rep. peak reverse volt. )
Eingangswechselspg.
Period. Spitzensperrspg. )
V
[V]
VRMS
40
80
125
250
380
500
Surge peak reverse volt. )
Stospitzensperrspanng. )
V
RSM
100
200
400
800
1000
1200
1
1
1
1
V
[V]
80
160
250
500
800
1000
[V]
RRM
B40C 3200-2200
B80C 3200-2200
B125C 3200-2200
B250C 3200-2200
B380C 3200-2200
B500C 3200-2200
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
I
15 A )
FRM
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T = 25°C
i t
50 A s
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T = 25°C
I
100 A
FSM
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
T
– 50...+150°C
– 50...+150°C
j
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BC350-TO-92 | TRANSISTOR (PNP) |
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| BCW35 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package. |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BC322 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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