型號: | BC307VI |
英文描述: | IC FLEX 10K FPGA 10K 144-TQFP |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至226AA |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 429K |
代理商: | BC307VI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BC308VI | CPLD, MAX 7000, 64 MACROCELLS, TQFP100; Logic IC family:CPLD (EPLD); Logic IC Base Number:7064; Logic IC function:EPM7064S; Voltage, supply:5V; Case style:TQFP; Gates, No. of:1250; I/O lines, No. of:68; Macrocells, No. of:64; Pins, RoHS Compliant: Yes |
BC307 | PNP general purpose transistors |
BC307 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
BC307B | PNP general purpose transistors |
BC415C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BC308 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC308_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
BC308_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC308_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC308_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |