參數(shù)資料
型號： BC307
英文描述： PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 429K
代理商： BC307
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC307B PNP general purpose transistors
BC415C TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC415A TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC416A TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
BC416B TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC307/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor PNP
BC307_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC307_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC307_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC307-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | TO-92
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