參數(shù)資料
型號(hào)： BC238
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： BC238
PowerRating Chart.
Collector-baseCapacitance.
Transition Frequency.
BC107/BC108
4/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC239 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC319 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC107C TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA
BC107DCSM NPN
BC168A IC APEX 20KE FPGA 400K
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC238 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
BC238_98 制造商:KEC 制造商全稱(chēng):KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC238_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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