參數(shù)資料
型號： BC237BZL1
英文描述： Stratix FPGA 40K FBGA-1508
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC237BZL1
1997 Sep 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
250
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
15
5
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
DC current gain
BC237
BC237B
collector-emitter saturation voltage I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; note 1
base-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
120
200
580
100
11
1.5
460
460
600
1200
700
10
V
CEsat
V
BEsat
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
2
100
200
MBH724
10
1
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE = 5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC237 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)
BC238CDU050 NPN Silicon Darlington Power Transistor
BC238CDU05Z NPN Silicon Darlington Power Transistor
BC238CDU060 NPN Silicon Darlington Power Transistor
BC238CDU06Z NPN Silicon Darlington Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC237BZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237CBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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