參數(shù)資料
型號: BC237
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN general purpose transistors
中文描述: 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 51K
代理商: BC237
1997 Sep 04
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC237BRL1 Stratix FPGA 40K FBGA-1020
BC237BZL1 Stratix FPGA 40K FBGA-1508
BC237 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)
BC238CDU050 NPN Silicon Darlington Power Transistor
BC238CDU05Z NPN Silicon Darlington Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC237/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
BC237_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
BC237_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC237_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2