參數(shù)資料
型號(hào)： BC182RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： BC182RL1
BC182
http://onsemi.com
191
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 A, VCE = 5.0 V)
BC182
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V)
BC182
BC182A
BC182B
(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V)
BC182
hFE
40
120
180
80
—
500
220
500
—
Collector–Emitter On Voltage
(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)
(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA)(1)
VCE(sat)
—
0.07
0.2
0.25
0.6
V
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA)(1)
VBE(sat)
—
1.2
V
Base–Emitter On Voltage
(IC = 100 A, VCE = 5.0 V)
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V)
(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V)(1)
VBE(on)
—
0.55
—
0.5
0.62
0.83
—
0.7
—
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.5 mA, VCE = 3.0 V, f = 100 MHz)
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz)
fT
—
150
100
200
—
MHz
Common Base Output Capacitance
(VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
5.0
pF
Common Base Input Capacitance
(VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cib
—
8.0
—
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz)
BC182
BC182A
BC182B
hfe
125
240
—
500
260
500
—
Noise Figure
(IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2.0 k, f = 1.0 kHz)
NF
—
2.0
10
dB
1. Pulse Test: Tp 300 s, Duty Cycle 2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC489ARLRA 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC490ARL1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557RLRA 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC857C/T3 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857B/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC183 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC183 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
BC183_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC183_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC183_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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