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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BBF2805SE |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | BBF2805SE |
SPECIFICATIONS
BBF2805S BBF2812S BBF2815S
BBF2805S
BBF2812S
BBF2815S
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
16
5.00
400
28
5.05
40
5.1
4000
16
28
40
12.1
1900
16
15.0
150
28
15.1
40
15.2
1500
Vdc
Vdc
mAdc
12.00
190
12.05
70
20
20
72
25
20
73
25
20
%
50
30
50
30
50
30
mVrms
mArms
2
20
50
25
2.3
23
50
50
2.2
22
50
50
W
5
2
5
5
10
20
mVdc
mVdc
.01
.01
.01
%/°C
°C
mAdc
mAdc
–55
125
40
2.5
–55
125
40
2.5
–55
125
40
2.5
35
1.25
35
1.25
35
1.25
.09
.09
.9
100
100
100
M
pF
50
80
85
400
30
300
40
300
40
mV
μs
200
250
150
250
150
250
mV
μs
1400
40
800
60
800
60
mV
μs
500
150
280
400
280
400
mV
μs
0
0
0
mV
μs
ms
220
30
500
60
220
30
500
60
220
30
500
60
PACKAGE THERMAL SPECIFICATIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
RESISTANCE, case to air
TEMPERATURE RISE, junction to case
12
10
°C/W
°C
15
Rev. - 3/01
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BBF2805SH | Analog IC |
| BBF2805SK | 18-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| BBF2812S | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture |
| BBF2812SE | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| BBF2812SH | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BBF2805SH | 制造商:MSK 制造商全稱:M.S. Kennedy Corporation 功能描述:20W DC-DC CONVERTERS |
| BBF2805SK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| BBF2812 | 制造商:MSK 制造商全稱:M.S. Kennedy Corporation 功能描述:20W DC-DC CONVERTERS |
| BBF2812E | 制造商:MSK 制造商全稱:M.S. Kennedy Corporation 功能描述:20W DC-DC CONVERTERS |
| BBF2812H | 制造商:MSK 制造商全稱:M.S. Kennedy Corporation 功能描述:20W DC-DC CONVERTERS |
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