參數(shù)資料
型號： BAV99WT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual Serise Switching Diodes
中文描述： 雙尺系列開關(guān)二極管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 45K
代理商： BAV99WT1
B
Typical Characteristics
(continued)
Average Rectified Current (Io) &
Forward Current (I ) versus
Ambient Temperature (T )
0
50
100
150
0
100
200
300
400
500
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
P
D
I FORWARDCURRENTSTEADY STATE mA
Io - AVERAGE RECTIFIED CURRENT - mA
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 10 - 800 mA
1.5
Ta= 25°C
10
20
30
50
100
200 300
500
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I - FORWARD CURRENT (mA)
F
V
F
CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE
VR - 0.0 to 15 V
1.3
Ta= 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
1
1.1
1.2
REVERSE VOLTAGE (V)
C
15
REVERSE RECOVERY TIME vs REVERSE CURRENT
TRR - IR 10 mA vs 60 mA
4
R
IRR (Reverse Recovery Current) = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms
10
20
30
40
50
60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
REVERSE CURRENT (mA)
Ta= 25°C
POWER DERATING CURVE
0
50
100
150
200
0
100
200
300
400
500
I - AVERAGE TEMPERATURE ( C)
O
P
D
P
D
DO-35 Pkg
SOT-23 Pkg
High Conductance Ultra Fast Diode
(continued)
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PDF描述
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