參數(shù)資料
型號: BAV99RWT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Dual Serise Switching Diodes
中文描述: 雙尺系列開關(guān)二極管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大小: 45K
代理商: BAV99RWT1
B
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Typical Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
B
V
I
R
Breakdown Voltage
Reverse Current
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V, T
A
= 150
°
C
V
R
= 70 V, T
A
= 150
°
C
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
R
= 0, f
= 1.0 MHz
I
F
= I
R
= 10 mA, I
RR
= 1.0 mA,
R
L
= 100
I
F
= 10 mA, t
r
= 20 nS
70
V
μ
A
μ
A
μ
A
mV
mV
V
V
pF
nS
2.5
30
50
715
855
1.0
1.25
1.5
6.0
V
F
Forward Voltage
C
O
T
RR
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
V
FM
Peak Forward Voltage
1.75
V
50
0
05
REVERSE VOLTAGE vs REVERSE CURRENT
BV - 1.0 to 100 uA
150
R
V
R
1
2
3
5
10
20
30
50
100
110
120
130
140
I - REVERSE CURRENT (uA)
Ta= 25°C
R
Ta= 25°C
1N4150 MMBD1201 1205
REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
IR - 10 to 100 V
I
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
10
20
30
50
70
100
0
50
100
150
200
250
300
225
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 1.0 to 100 uA
485
Ta= 25°C
1
2
3
5
10
20
30
50
100
250
300
350
400
450
I - FORWARD CURRENT (uA)
I
F
V
V
F
F
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT
VF - 0.1 to 10 mA
725
Ta= 25°C
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
450
500
550
600
650
700
I - FORWARD CURRENT (mA)
V
F
V
F
High Conductance Ultra Fast Diode
(continued)
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PDF描述
BAV99 Dual Series Switching Diode - Silicon epitaxial planar type
BAV99-T1 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99-T3 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99 SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
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參數(shù)描述
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BAV99S 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV99S /T3 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV99S _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAV99S REG 功能描述:DIODE ARRAY GP 85V 150MA SOT363 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管配置:2 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):85V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000