參數(shù)資料
型號: BAV100
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述: 硅外延平面二極管
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 34K
代理商: BAV100
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1996
1996 Sep 17
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAV100 to BAV103
General purpose diodes
1/3 page (Datasheet)
M3D054
相關PDF資料
PDF描述
BAV101 Silicon Epitaxial Planar Diodes
BAV100 Ultrafast silicon rectifier diodes
BAV101 Ultrafast silicon rectifier diodes
BAV100 Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers
BAV101 Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BAV100 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A
BAV100_07 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Ultrafast silicon rectifier diodes
BAV100_12 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV100-GS08 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 1.0 Amp 60V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV100-GS18 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 1.0 Amp 60V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube