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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BAT54C-AE3-R |
| 廠(chǎng)商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES |
| 中文描述： | 肖特基（雙）二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | BAT54C-AE3-R |
BAT54x
DIODE
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 4
QW-R601-007,C
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Per diode
Continuous Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Repetitive Peak Forward Current (t
p
< 1s,
Non-repetitive Peak Forward Current (t
p
< 10ms)
Junction Temperature
Storage Temperature
Per device
Power Dissipation (T
a
≤
25
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
J
T
STG
30
200
300
600
+125
V
mA
mA
mA
≤
0.5)
-60 ~ +150
)
P
D
230
mW
T HERMAL DAT A
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
500
625
UNIT
K/W
K/W
SOT-23
SOT-323
Thermal Resistance From Junction to Ambient
JA
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(T
a
= 25
,
unless otherwise specified.
)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
I
F
= 0.1mA
I
F
= 1mA
I
F
= 10mA
I
F
= 30mA
I
F
= 100mA
V
R
= 25V
When switched from I
F
=10mA
to I
R
= 10mA, R
L
= 100
measured at I
R
= 1mA
f = 1 MHz, V
R
= 1V;
MIN
TYP MAX UNIT
240
320
400
500
800
2
Forward Voltage (See Fig.1)
V
F
mV
mV
mV
mV
mV
μA
Reverse Current (See Fig.2)
I
R
Reverse Recovery Time (see Fig.4)
t
rr
5
ns
Diode Capacitance (see Fig.3)
C
d
10
pF
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PDF描述 |
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