參數(shù)資料
型號： BAS82
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Schottky barrier diodes
中文描述： 0.03 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BAS82
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 30
1998 Jun 24
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAS81; BAS82; BAS83
Schottky barrier diodes
lfpage
M3D121
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS81 Schottky Barrier Diodes
BAS82 Schottky Barrier Diodes
BAT120 Schottky barrier double diodes
BAT120SERIES Schottky barrier double diodes
BAT140A Schottky Barrier (Double) Diodes
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參數(shù)描述
BAS82-GS08 功能描述:肖特基二極管與整流器 50 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
BAS82-GS18 功能描述:肖特基二極管與整流器 50 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
BAS83 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOD-80
BAS83-GS08 功能描述:肖特基二極管與整流器 60 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
BAS83-GS18 功能描述:肖特基二極管與整流器 60 Volt 30mA 500 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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