- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369408 > BAS70LT1 (樂山無線電股份有限公司) SCHOTTKY Barrier Diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BAS70LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | SCHOTTKY Barrier Diode |
| 中文描述： | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | BAS70LT1 |
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W /
BAS70-05W / BAS70-06W
3/5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1E-4
1E-3
1E-2
7E-2
VFM(V)
IFM(A)
TyTj=100°C
Tj=25°C
Maximum values
Tj=25°C
Typical values
Fig. 1:
Forward voltage drop versus forward
current.
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
VR(V)
IR(μA)
Tj=25°C
Tj=100°C
Fig. 2:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
0
25
50
75
100
125
150
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
Tj(°C)
IR(μA)
VR=70V
Fig. 3:
Reverse leakage current versus junction
temperature (typical values).
1
10
100
0.1
1.0
2.0
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 4:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
tp(s)
Zth(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 5:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (epoxy
FR4
with
recommended
S(Cu)=35
μ
m).
pad
layout,
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
300
350
400
450
500
550
600
S(Cu) (mm2)
Rth(j-a) (°C/W)
P=0.2W
Fig. 6:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under each lead (Epoxy
printed circuit board FR4, copper thickness:
35
μ
m).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS70-04 | SENSOR DIFFERENTIAL 10 H2O |
| BAS70 | Schottky Diodes |
| BAS70-05 | Schottky Diodes |
| BAS70W-05W | Schottky Barrier (Double) Diodes |
| BAS70WSERIES | 20-, 40-, and 60-Bit I/O Expander with EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAS70LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| BAS70LT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:70 VOLTS SCHOTTKY BARRIER DIODES |
| BAS70LT1G | 功能描述:肖特基二極管與整流器 70V 225mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| BAS70LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Diode |
| BAS70LT1G_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed Low Forward Voltage |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。