參數(shù)資料
型號(hào)： BAS70-05FILM
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 256K (16K x 8) Dual Port SRAM
中文描述： 小信號(hào)肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 224K
代理商： BAS70-05FILM
BAR 18 / BAS70-04 06
3/4
1
10
100
0.1
1.0
2.0
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig.4:
Junctioncapacitanceversusreversevoltage
applied (typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
tp(s)
Zth(j-a)/Rth(j-a)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 5:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (alumine
substrate 10mm*8mm*0.5mm).
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
150
200
250
300
350
S(Cu) (mm2)
Rth(j-a) (°C/W)
P=0.25W
Fig. 6:
Thermal resistance junction to ambient ver-
suscoppersurfaceundereachlead(Epoxyprinted
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
VR(V)
IR(μA)
Tj=25°C
Tj=100°C
Fig. 2:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
0
25
50
75
100
125
150
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
Tj(°C)
IR(μA)
VR=70V
Fig. 3:
Reverse leakage current versus junction
temperature (typical values)
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PDF描述
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